品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
连续漏极电流:540mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:76pF@15V
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
类型:P沟道
功率:460mW
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
输入电容:1496pF@15V
类型:P沟道
功率:2.5W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
输入电容:76pF@15V
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
类型:P沟道
功率:450mW
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:24+
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
输入电容:1779pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
连续漏极电流:10.5A
漏源电压:20V
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9933USD-13
功率:1.15W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:608.4pF@6V
阈值电压:1.1V@250µA
连续漏极电流:4.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
连续漏极电流:260mA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.36nC@4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:42pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
输入电容:76pF@15V
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
类型:P沟道
功率:450mW
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
连续漏极电流:260mA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.36nC@4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:27.9pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9933USD-13
连续漏极电流:4.6A
功率:1.15W
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
输入电容:608.4pF@6V
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1537pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1537pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9933USD-13
连续漏极电流:4.6A
功率:1.15W
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
输入电容:608.4pF@6V
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
连续漏极电流:260mA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.36nC@4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:27.9pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
输入电容:32pF@30V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
连续漏极电流:350mA
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
输入电容:76pF@15V
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
类型:P沟道
功率:450mW
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-7
连续漏极电流:0.26A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:N-Channel
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
栅极电荷:0.36nC@4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:42pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-7
连续漏极电流:0.26A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:N-Channel
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
栅极电荷:0.36nC@4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:42pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:10mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:1060pF@4V
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
功率:890mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
连续漏极电流:540mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:76pF@15V
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
类型:P沟道
功率:460mW
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2014LHAB-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9A
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:1550pF@10V
导通电阻:13mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2013UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2453pF@10V
导通电阻:11mΩ@8.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
连续漏极电流:10.5A
栅极电荷:25.8nC@8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:10mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:1060pF@4V
漏源电压:8V
功率:890mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9933USD-13
功率:1.15W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:608.4pF@6V
阈值电压:1.1V@250µA
连续漏极电流:4.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:24+
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
输入电容:1779pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
连续漏极电流:10.5A
漏源电压:20V
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSS-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:56.9nC@10V
类型:P-Channel
功率:2.5W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:2444pF@10V
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9933USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608.4pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: