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    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1.1V@250µA
    当前匹配商品:200+
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    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B

    连续漏极电流:540mA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:76pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:460mW

    导通电阻:1Ω@400mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订7500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订7500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    输入电容:1496pF@15V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D0U-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:530mA

    输入电容:76pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:450mW

    导通电阻:1Ω@400mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:24+

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    输入电容:1779pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    连续漏极电流:10.5A

    漏源电压:20V

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    功率:1.15W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:608.4pF@6V

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG301NU-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    连续漏极电流:260mA

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:42pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D0U-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:530mA

    输入电容:76pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:450mW

    导通电阻:1Ω@400mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG301NU-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    连续漏极电流:260mA

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:27.9pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    连续漏极电流:4.6A

    功率:1.15W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:20V

    输入电容:608.4pF@6V

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1537pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1537pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    连续漏极电流:4.6A

    功率:1.15W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:20V

    输入电容:608.4pF@6V

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG301NU-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    连续漏极电流:260mA

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:27.9pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    输入电容:32pF@30V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:350mA

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D0U-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:530mA

    输入电容:76pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:450mW

    导通电阻:1Ω@400mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG301NU-7

    连续漏极电流:0.26A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    类型:N-Channel

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:42pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG301NU-7

    连续漏极电流:0.26A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    类型:N-Channel

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:42pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    类型:P沟道

    输入电容:1060pF@4V

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    功率:890mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0UFB4-7B 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0UFB4-7B 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B

    连续漏极电流:540mA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:76pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:460mW

    导通电阻:1Ω@400mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:32pF@30V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:32pF@30V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2014LHAB-7

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:9A

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)共漏

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:1550pF@10V

    导通电阻:13mΩ@4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2013UFDE-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2013UFDE-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2013UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2453pF@10V

    导通电阻:11mΩ@8.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:10.5A

    栅极电荷:25.8nC@8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    类型:P沟道

    输入电容:1060pF@4V

    漏源电压:8V

    功率:890mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订12500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订12500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    功率:1.15W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:608.4pF@6V

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:24+

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    输入电容:1779pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    连续漏极电流:10.5A

    漏源电压:20V

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:32pF@30V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:56.9nC@10V

    类型:P-Channel

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2444pF@10V

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608.4pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
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