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    当前匹配商品:1900+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:21nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:1460pF@15V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1600pF@15V

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    功率:2.5W€43W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:26A€100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC3025LSDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC3025LSDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMHC3025LSDQ-13

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:6A€4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    输入电容:590pF@15V€631pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3010LSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3010LSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3010LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    类型:N-Channel

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2个N通道(半桥)

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    输入电容:1157pF@15V

    功率:2.5W

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN357N

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:235pF@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:500mW

    栅极电荷:5.9nC@5V

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4.8A

    阈值电压:2V@250µA

    类型:P沟道

    输入电容:620pF@15V

    栅极电荷:10.5nC@10V

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    功率:1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3025LSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3025LSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3025LSD-13

    连续漏极电流:6.5A€4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    输入电容:501pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    类型:N和P沟道

    ECCN:EAR99

    导通电阻:20mΩ@7.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R6ENX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R6ENX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R6ENX

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20.6nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:840pF@15V

    导通电阻:10.5mΩ@11A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV42ENER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV42ENER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV42ENER

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€5W

    类型:N沟道

    输入电容:281pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:4.4A

    导通电阻:36mΩ@4.4A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2个N通道(半桥)

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    输入电容:1157pF@15V

    功率:2.5W

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3015LSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3015LSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3015LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:11mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:60.4nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    输入电容:2748pF@20V

    功率:2.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO150N03MDGXUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO150N03MDGXUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO150N03MDGXUMA1

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:8A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:15mΩ@9.3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    输入电容:1415pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    栅极电荷:25.1nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:730mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0500NSIATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0500NSIATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:2.1W€69W

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:30A€40A

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:3400pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:21nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:1460pF@15V

    功率:1.6W

    连续漏极电流:5.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A€39A

    类型:N沟道

    输入电容:1500pF@15V

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.5W€28W

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ019N03L5SATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ019N03L5SATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ019N03L5SATMA1

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:22A€40A

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:1.9mΩ@20A,10V

    输入电容:2800pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSIATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSIATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:4300pF@15V

    栅极电荷:68nC@10V

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:37A€100A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0506NSATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1160pF@15V

    功率:1W

    连续漏极电流:17A€32A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSIATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSIATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:4300pF@15V

    栅极电荷:68nC@10V

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:37A€100A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3020LSS-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3020LSS-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3020LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    连续漏极电流:12A

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30.7nC@10V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    输入电容:1802pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3404L-7

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:9.2nC@10V

    类型:N-Channel

    输入电容:386pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:4.6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    功率:104W

    类型:N沟道

    栅极电荷:153nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    输入电容:10180pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4935NBT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4935NBT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"16+":28500}

    规格型号(MPN):NTMFS4935NBT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:49.4nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    连续漏极电流:13A€93A

    功率:930mW€48W

    输入电容:4850pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    输入电容:1415pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:25.1nC@10V

    连续漏极电流:12A

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.02W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO150N03MDGXUMA1 起订879个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO150N03MDGXUMA1 起订879个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1580}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO150N03MDGXUMA1

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:8A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:15mΩ@9.3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN357N

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:235pF@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:500mW

    栅极电荷:5.9nC@5V

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    输入电容:1700pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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