品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4488DY-T1-GE3
阈值电压:2V@250µA
功率:1.56W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:50mΩ@5A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.5A
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:2W€3.1W
输入电容:250pF@25V
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR110TRPBF
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,5V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:250pF@25V
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHLL110TR-GE3
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:2W€3.1W
输入电容:250pF@25V
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
功率:1.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:7.6A
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
功率:1.9W
连续漏极电流:7.6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
功率:1.56W
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
功率:104W
类型:N沟道
栅极电荷:153nC@10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:10180pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
栅极电荷:8.4nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.6A,5V
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:2W€3.1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4490DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:1.56W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.85A
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:2W€3.1W
输入电容:250pF@25V
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2404K-T1-E3
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
功率:360mW
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.52mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:60A
栅极电荷:35nC@4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:3640pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
功率:1.9W
连续漏极电流:7.6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRL640STRLPBF
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:66nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
导通电阻:180mΩ@10A,5V
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:1800pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
功率:1.56W
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:10A€9.2A
阈值电压:2V@250µA
输入电容:855pF@20V
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
类型:N和P沟道
功率:3.1W€3.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:2W€3.1W
输入电容:250pF@25V
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2404K-T1-E3
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
功率:360mW
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
功率:104W
类型:N沟道
栅极电荷:153nC@10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:10180pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:2W€3.1W
输入电容:250pF@25V
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4904DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3.25W
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@5A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:2390pF@20V
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
功率:1.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:7.6A
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:2W€3.1W
输入电容:250pF@25V
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-BE3
功率:1.7W€20.8W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.2A
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
阈值电压:2V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH108DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:14A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: