采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8568CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@15V€1089pF@15V
连续漏极电流：15A€13A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS8402DWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V€45pF@25V
连续漏极电流：115mA€130mA
类型：N和P沟道
导通电阻：13.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS8402DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V€45pF@25V
连续漏极电流：115mA€130mA
类型：N和P沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8568CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@15V€1089pF@15V
连续漏极电流：15A€13A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1029X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流：305mA€190mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7001C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流：510mA€340mA
类型：N和P沟道
导通电阻：2Ω@510mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V€34pF@15V
连续漏极电流：700mA€700mA€400mA€500mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V€34pF@15V
连续漏极电流：700mA€700mA€400mA€500mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1029X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流：305mA€190mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS8402DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V€45pF@25V
连续漏极电流：115mA€130mA
类型：N和P沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL3724A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1029X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流：305mA€190mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7001C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流：510mA€340mA
类型：N和P沟道
导通电阻：2Ω@510mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7001C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流：510mA€340mA
类型：N和P沟道
导通电阻：2Ω@510mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7001C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流：510mA€340mA
类型：N和P沟道
导通电阻：2Ω@510mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL3724A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
