销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS2DNF30L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:121pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:110mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS2DNF30L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:121pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:110mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS2DNF30L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:121pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:110mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS2DNF30L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:121pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:110mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS2DNF30L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:121pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:110mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DPF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS2DNF30L
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:121pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
功率:2W
导通电阻:110mΩ@1A,10V
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: