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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ370UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:78pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG8601UFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG8601UFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG8601UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:920mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UDJ-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UDJ-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14.1pF@15V

    连续漏极电流:240mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ370UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:1.16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:78pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订54个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订54个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ370UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:1.16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:78pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG8601UFG-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG8601UFG-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG8601UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:920mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订11个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订11个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205L 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205L 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ370UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:78pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMG8601UFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG8601UFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG8601UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:920mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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