采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCTL295N06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8350pF@30V
连续漏极电流：295A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCTL295N06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8350pF@30V
连续漏极电流：295A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2092，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC017N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2092，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCTL295N06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8350pF@30V
连续漏极电流：295A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCTL295N06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8350pF@30V
连续漏极电流：295A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCTL295N06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8350pF@30V
连续漏极电流：295A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2092，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：54341，"23+"：1860}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC017N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCTL295N06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8350pF@30V
连续漏极电流：295A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
