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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 8.8nC@4.5V
    当前匹配商品:70+
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    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订28个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订28个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4929NTAG 起订1261个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4929NTAG 起订1261个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":134039}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4929NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€22.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:6.6A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ661PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订6000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订6000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4929NTWG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4929NTWG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":11000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4929NTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€22.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:6.6A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ661PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ661PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ661PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订17个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订17个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4929NTWG 起订1323个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4929NTWG 起订1323个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4929NTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€22.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:6.6A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订1146个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订1146个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":6670}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ661PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN49EN,135 起订2914个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN49EN,135 起订2914个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":50000,"9999":8959}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN49EN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN49EN,135 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN49EN,135 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":50000,"9999":8959}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN49EN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4929NTWG 起订1323个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4929NTWG 起订1323个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":11000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4929NTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€22.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:6.6A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订1146个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订1146个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":75000,"MI+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ661PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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