采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA908PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3957pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA908PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3957pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM1567-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM1567-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM1567-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM1567-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：742，"21+"：1153}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4934NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW€69.44W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5505pF@15V
连续漏极电流：17.1A€147A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM1567-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA908PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3957pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA908PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3957pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：288000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4934NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW€69.44W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5505pF@15V
连续漏极电流：17.1A€147A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4934NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW€69.44W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5505pF@15V
连续漏极电流：17.1A€147A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：742，"21+"：1153}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4934NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW€69.44W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5505pF@15V
连续漏极电流：17.1A€147A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：336000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN005-30K，518
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA908PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3957pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：336000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA908PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3957pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA908PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3957pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM1567-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA908PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3957pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
