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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 6.2nC@4.5V
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-E3 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-E3 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订34个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订34个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订29个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订29个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订27个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订27个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1544

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A€3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订250个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订250个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订17个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订17个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订25个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订25个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-E3 起订1200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-E3 起订1200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-E3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-E3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3414 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307CDS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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