采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5103TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5103TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5103TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5103TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5103TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5103TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5103TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5103TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5103TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5103TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
