品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4939NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH536DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.57W€26.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:24.7A€67.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6558
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€24W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1128pF@15V
连续漏极电流:25A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3030LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:741pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6558
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€24W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1128pF@15V
连续漏极电流:25A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH536DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.57W€26.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:24.7A€67.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6558
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€24W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1128pF@15V
连续漏极电流:25A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6558
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€24W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1128pF@15V
连续漏极电流:25A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6558
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€24W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1128pF@15V
连续漏极电流:25A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH536DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.57W€26.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:24.7A€67.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6558
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€24W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1128pF@15V
连续漏极电流:25A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3030LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:741pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":97500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6558
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€24W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1128pF@15V
连续漏极电流:25A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6558
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€24W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1128pF@15V
连续漏极电流:25A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR36368
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1305pF@15V
连续漏极电流:23A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR36368
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1305pF@15V
连续漏极电流:23A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7380
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR36368
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1305pF@15V
连续漏极电流:23A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: