品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
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输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
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输入电容:3610pF@50V
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类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
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输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
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规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
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输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
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功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
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规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
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规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
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功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
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输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
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输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:3.4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
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连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
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功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
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品牌:VISHAY
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功率:69.4W
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类型:N沟道
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
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工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
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