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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 56nC@10V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:300+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@50V

    连续漏极电流:58.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订173个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订173个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":50000,"MI+":12686}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:25.5A€92.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB7NK80ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@50V

    连续漏极电流:58.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB7NK80ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB7NK80ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC118N10NSGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC118N10NSGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC118N10NSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@50V

    连续漏极电流:11A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7490TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7490TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7490TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订802个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订802个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":6834}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDE-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDE-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:11.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€48.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:14A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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