采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2958}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8316TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€59W
阈值电压：2.2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A€50A
类型：N沟道
导通电阻：2.95mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7458TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，16V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
