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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：0，"MI+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8434
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8434
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
连续漏极电流：17A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：8340pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：80nC@4.5V
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：0，"MI+"：1735}
规格型号(MPN)：NDS8434
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：80nC@4.5V
导通电阻：35mΩ@6.5A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：2.5W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：0，"MI+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8434
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：0，"MI+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8434
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
