品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLH6224TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€52W
阈值电压:1.1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3710pF@10V
连续漏极电流:28A€105A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4825DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@15V
连续漏极电流:14.9A
类型:P沟道
导通电阻:12.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A€62A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4825DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@15V
连续漏极电流:14.9A
类型:P沟道
导通电阻:12.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":392,"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A€62A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4825DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@15V
连续漏极电流:14.9A
类型:P沟道
导通电阻:12.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":78,"19+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7082pF@40V
连续漏极电流:19A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7082pF@40V
连续漏极电流:19A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6278
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€208W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4646pF@40V
连续漏极电流:34A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7082pF@40V
连续漏极电流:19A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7082pF@40V
连续漏极电流:19A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: