采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB66916L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€277W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@50V
连续漏极电流：35.5A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB66916L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€277W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@50V
连续漏极电流：35.5A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB66916L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€277W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@50V
连续漏极电流：35.5A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFBF30S-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，100V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFBF30S-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，100V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFBF30S-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，100V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFBF30S-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，100V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIE822DF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIE822DF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFBF30S-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，100V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB66916L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€277W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@50V
连续漏极电流：35.5A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
