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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 1.6nC@4.5V
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    当前匹配商品:100+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB150UNEYL 起订18个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB150UNEYL 起订18个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB150UNEYL

    导通电阻:200mΩ@1.5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    类型:N沟道

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:950mV@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订2500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订2500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:22+

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.8A

    输入电容:93pF@10V

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    阈值电压:950mV@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    连续漏极电流:3.4A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@10V

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    导通电阻:78mΩ@500mA,8V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300U-7

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    连续漏极电流:1.24A

    输入电容:64.3pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:20V

    功率:430mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300U-7

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    连续漏极电流:1.24A

    输入电容:64.3pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:20V

    功率:430mW

    ECCN:EAR99

    阈值电压:950mV@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    连续漏极电流:3.4A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@10V

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    导通电阻:78mΩ@500mA,8V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    连续漏极电流:3.4A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@10V

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    导通电阻:78mΩ@500mA,8V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    连续漏极电流:3.4A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@10V

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    导通电阻:78mΩ@500mA,8V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.8A

    输入电容:93pF@10V

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    阈值电压:950mV@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    类型:N-Channel

    输入电容:64.3pF@25V

    功率:500mW

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:950mV@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:0.55W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    导通电阻:175mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订40个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订40个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订32个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订32个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订25个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订25个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB150UNEYL 起订18个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB150UNEYL 起订18个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB150UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订2500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订2500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:22+

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.24A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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