品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66923
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:11mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:16.5A€58A
输入电容:1725pF@50V
栅极电荷:35nC@10V
漏源电压:100V
功率:6.2W€73W
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":48440,"24+":5510}
规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1
阈值电压:2.1V@33µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.1W€63W
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66923
连续漏极电流:15A€47A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@20A,10V
输入电容:1725pF@50V
功率:5W€48W
栅极电荷:35nC@10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
连续漏极电流:63A
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:21+
规格型号(MPN):AONS66923
连续漏极电流:47A
导通电阻:10.8mΩ@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
类型:N-Channel
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
连续漏极电流:63A
栅极电荷:35nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":2613}
规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1
阈值电压:2.1V@33µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.1W€63W
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1725pF@50V
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD19533Q5AT
功率:3.2W€96W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
连续漏极电流:63A
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
连续漏极电流:63A
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC159N10LSF G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.4A
类型:N-Channel
导通电阻:15.9mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66923
功率:48W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:47A
类型:N-Channel
导通电阻:10.8mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€63W
阈值电压:2.1V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC159N10LSF G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.4A
类型:N-Channel
导通电阻:15.9mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€73W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:16.5A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€63W
阈值电压:2.1V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86110
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€127W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2265pF@50V
连续漏极电流:12.5A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: