品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.5W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4229,"18+":22511693,"19+":171794}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB27EP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@15V
连续漏极电流:6.1A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:128W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.5W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:117W
阈值电压:4V@530µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1952pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:128W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:128W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:11A€20A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB8N90CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@20V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:11A€20A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5419DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@30V
连续漏极电流:10.6A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:21A€34A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB27EPAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@15V
连续漏极电流:6.1A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@20V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB27EPAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@15V
连续漏极电流:6.1A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5419DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2005pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: