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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
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功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
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功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
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栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5445T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
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功率：1.47W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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功率：1.47W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.6A
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导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
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功率：1.47W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
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连续漏极电流：4.6A
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连续漏极电流：4.6A
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTHS5445T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：450mV@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：8V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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漏源电压：30V
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栅极电荷：26nC@4.5V
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类型：P沟道
ECCN：EAR99
功率：1.47W
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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漏源电压：30V
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类型：P沟道
ECCN：EAR99
功率：1.47W
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行业应用：工业,汽车
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类型：P沟道
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
ECCN：EAR99
功率：1.47W
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
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ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
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