采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2.8V@95µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：35403，"23+"：60000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€139W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：9.4A€98A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2.8V@95µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2.8V@95µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR570DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3740pF@75V
连续漏极电流：19A€77.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€139W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：9.4A€98A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€139W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：9.4A€98A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR570DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3740pF@75V
连续漏极电流：19A€77.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€139W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：9.4A€98A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€139W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：9.4A€98A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
