采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
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类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
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连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
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输入电容：3926pF@10V
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
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连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：62A
类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
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栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
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输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
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输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
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栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB2614
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
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阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
栅极电荷：99nC@10V
功率：260W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：62A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
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类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
阈值电压：1.3V@250µA
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工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：99nC@10V
连续漏极电流：24A€27A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB2614
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
栅极电荷：99nC@10V
功率：260W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：62A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
阈值电压：1.3V@250µA
输入电容：3926pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：99nC@10V
连续漏极电流：24A€27A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
