品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
功率:930mW
输入电容:1810pF@20V
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
功率:930mW
输入电容:1810pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1110pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
功率:930mW
输入电容:1810pF@20V
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
类型:P-Channel
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1110pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":13626,"23+":9144}
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4484
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:1950pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:10mΩ@10A,10V
功率:1.7W
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4484
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:1950pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:10mΩ@10A,10V
功率:1.7W
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4484
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:1950pF@20V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:10mΩ@10A,10V
功率:1.7W
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@20V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@20V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@20V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P-Channel
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":13626,"23+":9144}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4484
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P-Channel
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4484
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4484
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":13626,"23+":9144}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: