采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10F7
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：2000pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.5W€50W
连续漏极电流：35A
栅极电荷：22nC@10V
漏源电压：100V
导通电阻：20mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3662
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@50V
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@8.9A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
连续漏极电流：8.9A€49A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-E3
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
功率：2.5W€6W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
输入电容：600pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流：3.4A
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10F7
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：2000pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.5W€50W
连续漏极电流：35A
栅极电荷：22nC@10V
漏源电压：100V
导通电阻：20mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB150N10
阈值电压：4.5V@250µA
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：57A
输入电容：4760pF@25V
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB150N10
阈值电压：4.5V@250µA
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：57A
输入电容：4760pF@25V
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
类型：N沟道
连续漏极电流：6.2A
栅极电荷：31nC@10V
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
输入电容：1740pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：241}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB150N10
阈值电压：4.5V@250µA
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：57A
输入电容：4760pF@25V
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-GE3
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
功率：2.5W€6W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
输入电容：600pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流：3.4A
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
类型：N沟道
连续漏极电流：6.2A
栅极电荷：31nC@10V
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
输入电容：1740pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10F7
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：2000pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.5W€50W
连续漏极电流：35A
栅极电荷：22nC@10V
漏源电压：100V
导通电阻：20mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流：3.4A
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3662
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@50V
连续漏极电流：8.9A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@8.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N10F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：241}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
