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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 100V
    阈值电压: 2.8V@250µA
    当前匹配商品:300+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DDP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DDP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:27.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:11.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS123-TP 起订3000个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS123-TP 起订3000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4892 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4892 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4892

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:11.5A€29.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:27.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:11.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:11.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7296 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7296 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7296

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€20.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:5A€12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LSS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LSS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:11.5A€29.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876ADP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876ADP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1630pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1970pF@50V

    连续漏极电流:18.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:11.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AON7296 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7296 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7296

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€20.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:5A€12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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