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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5690，"18+"：72000，"19+"：360}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2608}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€52W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2705pF@13V
连续漏极电流：22.5A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@22.5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2872，"22+"：956，"23+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1107，"19+"：21000，"21+"：1300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5690，"18+"：72000，"19+"：360}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5690，"18+"：72000，"19+"：360}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1107，"19+"：21000，"21+"：1300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5690，"18+"：72000，"19+"：360}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
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输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
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输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
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类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
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栅极电荷：63nC@10V
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连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
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输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
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连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€52W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2705pF@13V
连续漏极电流：22.5A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@22.5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1107，"19+"：21000，"21+"：1300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
