品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":19129,"22+":4931,"24+":3000,"9999":86,"MI+":325}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ328DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€15W€3.6W€16.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V€600pF@10V
连续漏极电流:11.1A€25.3A€15A€30A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2144,"21+":5417,"22+":5616}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8014S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€41A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ328DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€15W€3.6W€16.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V€600pF@10V
连续漏极电流:11.1A€25.3A€15A€30A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":63000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1795pF@13V
连续漏极电流:16.7A€49A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8014S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€41A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2144,"21+":5417,"22+":5616}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8014S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€41A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8014S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€41A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2144,"21+":5417,"22+":5616}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8014S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€41A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8014S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€41A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8014S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€41A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":19129,"22+":4931,"24+":3000,"9999":86,"MI+":325}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: