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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 25V
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 2.5V@250µA
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订408个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订408个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":19129,"22+":4931,"24+":3000,"9999":86,"MI+":325}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8016S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€35A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ328DT-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ328DT-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ328DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€15W€3.6W€16.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V€600pF@10V

    连续漏极电流:11.1A€25.3A€15A€30A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订261个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订261个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2144,"21+":5417,"22+":5616}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8016S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€35A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ328DT-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ328DT-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ328DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€15W€3.6W€16.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V€600pF@10V

    连续漏极电流:11.1A€25.3A€15A€30A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7582 起订745个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7582 起订745个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":63000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7582

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1795pF@13V

    连续漏极电流:16.7A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16.7A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8016S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€35A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2144,"21+":5417,"22+":5616}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2144,"21+":5417,"22+":5616}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8016S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€35A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8016S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€35A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":19129,"22+":4931,"24+":3000,"9999":86,"MI+":325}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8016S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€35A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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