首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度
    包装方式
    漏源电压
    60V
    阈值电压
    行业应用
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 60V
    阈值电压: 3V@250µA
    当前匹配商品:3200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订78个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订78个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订30000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订30000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订26个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订26个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订123个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订123个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订150个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订150个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1050个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1050个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订5个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订5个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:40nC@10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:910pF@24V

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    类型:2N沟道(双)

    功率:2.4W

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧