品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
输入电容:1100pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.1W€31W
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:27mΩ@9A,10V
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:3.2W€50W
连续漏极电流:30A
输入电容:1110pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20.7A€73A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:5W€62.5W
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1320pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
输入电容:1100pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.1W€31W
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
功率:2.5W€5W
栅极电荷:32nC@10V
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
输入电容:1100pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.1W€31W
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5690
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:28mΩ@7A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:32nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1107pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
功率:2.5W€5W
栅极电荷:32nC@10V
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5690
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:28mΩ@7A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:32nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1107pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
输入电容:1100pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.1W€31W
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:73A
类型:N-Channel
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: