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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：53mΩ@4A，10V
栅极电荷：21nC@10V
类型：P沟道
输入电容：540pF@15V
功率：750mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB56XNEAX
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：256pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：3.1A
功率：485mW
ECCN：EAR99
导通电阻：72mΩ@3.1A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17381F4T
栅极电荷：1.35nC@4.5V
输入电容：195pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：3.1A
阈值电压：1.1V@250µA
导通电阻：109mΩ@500mA，8V
功率：500mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：53mΩ@4A，10V
栅极电荷：21nC@10V
类型：P沟道
输入电容：540pF@15V
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
功率：1.15W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：19.8nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.9A
输入电容：839pF@15V
类型：P-Channel
阈值电压：1.5V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
功率：1.15W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：19.8nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.1A
输入电容：839pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17381F4T
栅极电荷：1.35nC@4.5V
输入电容：195pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：3.1A
阈值电压：1.1V@250µA
导通电阻：109mΩ@500mA，8V
功率：500mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：53mΩ@4A，10V
栅极电荷：21nC@10V
类型：P沟道
输入电容：540pF@15V
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6954ADQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6954ADQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：P-Channel
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4E031RPHZGTCR1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6954ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4E031RPHZGTCR1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4E031RPHZGTCR1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4E031RPHZGTCR1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6954ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4E031RPHZGTCR1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：P-Channel
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB56XNEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：256pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@500mA，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
