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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 30V
    连续漏极电流: 10A
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    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    栅极电荷:8.6nC@10V

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    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

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    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

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    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订29个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订29个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

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    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    栅极电荷:8.6nC@10V

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    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD87503Q3ET

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.1V@250µA

    功率:15.6W

    输入电容:1020pF@15V

    ECCN:EAR99

    类型:2N沟道(双)共源

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    输入电容:1415pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:25.1nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:730mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    输入电容:478.9pF@16V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    栅极电荷:8.6nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:448pF@15V

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:478.9pF@16V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7416TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7416TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7416TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:20mΩ@5.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    输入电容:1700pF@25V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.5W

    栅极电荷:92nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7416TRPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7416TRPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7416TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:20mΩ@5.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    输入电容:1700pF@25V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.5W

    栅极电荷:92nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4466SSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4466SSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4466SSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    功率:1.42W

    类型:N沟道

    输入电容:478.9pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    输入电容:1415pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:25.1nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:730mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    输入电容:1415pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:25.1nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:730mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4935NR2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4935NR2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"09+":55000,"10+":140860}

    规格型号(MPN):NTMS4935NR2G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    栅极电荷:52.1nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:3639pF@25V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LK3-13

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:798pF@10V

    功率:1.71W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-7

    输入电容:1415pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:25.1nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:730mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690AS 起订894个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690AS 起订894个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"06+":59264,"07+":7328,"08+":8095,"10+":7232,"11+":190,"13+":7175,"14+":10458,"MI+":1614}

    规格型号(MPN):FDS6690AS

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    输入电容:910pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS10P3LLH6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STS10P3LLH6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10P3LLH6

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:3350pF@25V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:12mΩ@5A,10V

    功率:2.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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