销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD87503Q3ET
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
功率:15.6W
输入电容:1020pF@15V
ECCN:EAR99
类型:2N沟道(双)共源
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13
输入电容:1415pF@15V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:25.1nC@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:730mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
输入电容:478.9pF@16V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
栅极电荷:8.6nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:448pF@15V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
类型:2N沟道(双)
输入电容:478.9pF@16V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7416TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:20mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
输入电容:1700pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
栅极电荷:92nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7416TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:20mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
输入电容:1700pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
栅极电荷:92nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
功率:1.42W
类型:N沟道
输入电容:478.9pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13
输入电容:1415pF@15V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:25.1nC@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:730mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13
输入电容:1415pF@15V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:25.1nC@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:730mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":55000,"10+":140860}
规格型号(MPN):NTMS4935NR2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
栅极电荷:52.1nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3639pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LK3-13
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:798pF@10V
功率:1.71W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-7
输入电容:1415pF@15V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:25.1nC@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:730mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":59264,"07+":7328,"08+":8095,"10+":7232,"11+":190,"13+":7175,"14+":10458,"MI+":1614}
规格型号(MPN):FDS6690AS
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
输入电容:910pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10P3LLH6
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:3350pF@25V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:12mΩ@5A,10V
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存: