采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：50.6nC@8V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
输入电容：2426pF@10V
功率：680mW
连续漏极电流：9.3A
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD2104PTBG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：467pF@6V
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
功率：700mW
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：21000}
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1157pF@6V
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：3.5A
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：16318}
规格型号(MPN)：NTLJD2104PTAG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：467pF@6V
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
功率：700mW
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1100UCB4-7
输入电容：820pF@6V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
栅极电荷：14nC@4.5V
导通电阻：83mΩ@3A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
连续漏极电流：2.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：50.6nC@8V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
输入电容：2426pF@10V
功率：680mW
连续漏极电流：9.3A
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：21000}
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1157pF@6V
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：3.5A
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1100UCB4-7
输入电容：820pF@6V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
栅极电荷：14nC@4.5V
导通电阻：83mΩ@3A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
连续漏极电流：2.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2712pF@10V
栅极电荷：48.3nC@8V
类型：P沟道
漏源电压：12V
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
连续漏极电流：9.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UVT-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.73W
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
输入电容：2588pF@10V
阈值电压：800mV@250µA
连续漏极电流：10.7A
栅极电荷：50.4nC@8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2712pF@10V
栅极电荷：48.3nC@8V
类型：P沟道
漏源电压：12V
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
连续漏极电流：9.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：50.6nC@8V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
输入电容：2426pF@10V
功率：680mW
连续漏极电流：9.3A
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9.1A
功率：660mW
栅极电荷：42.6nC@5V
输入电容：2953pF@4V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UVT-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.73W
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
输入电容：2588pF@10V
阈值电压：800mV@250µA
连续漏极电流：10.7A
栅极电荷：50.4nC@8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：16318}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD2104PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：467pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P-Channel
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1100UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2588pF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3662，"09+"：15000，"10+"：55476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD2104PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：467pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
