品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
输入电容:2970pF@6V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:87nC@8V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
漏源电压:12V
栅极电荷:35nC@8V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.2W€1.7W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:57nC@8V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
功率:3.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423DQ-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:110nC@5V
功率:1.05W
阈值电压:800mV@400µA
导通电阻:8.5mΩ@9.5A,4.5V
连续漏极电流:8.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:-12V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:-6A
栅极电荷:35nC@8V
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
功率:1.2W€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:57nC@8V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
功率:3.5W€19W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423DQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:110nC@5V
功率:1.05W
阈值电压:800mV@400µA
导通电阻:8.5mΩ@9.5A,4.5V
连续漏极电流:8.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
功率:46W
输入电容:5000pF@6V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:60A
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1100pF@6V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
漏源电压:12V
输入电容:2880pF@6V
功率:19W
栅极电荷:80nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA517DJ-T1-GE3
功率:6.5W
类型:N和P沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:500pF@6V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJT-T1-GE3
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@6V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
功率:19W
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:57nC@8V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
功率:3.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
输入电容:120pF@6V
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA533EDJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:34mΩ@4.6A,4.5V
类型:N和P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:420pF@6V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
功率:2.4W€13W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:1180pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
栅极电荷:33nC@8V
连续漏极电流:9A
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
功率:5W€48W
ECCN:EAR99
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1100pF@6V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3
连续漏极电流:1.14A€1.3A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
输入电容:120pF@6V
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
功率:740mW€1.25W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA975DJ-T1-GE3
导通电阻:41mΩ@4.3A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1500pF@6V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1442DH-T1-GE3
输入电容:1010pF@6V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:12V
导通电阻:20mΩ@6A,4.5V
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:3A
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA975DJ-T1-GE3
导通电阻:41mΩ@4.3A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1500pF@6V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4931DY-T1-GE3
阈值电压:1V@350µA
导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
功率:1.1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
连续漏极电流:1.3A
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA910EDJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3
连续漏极电流:1.14A€1.3A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
输入电容:120pF@6V
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
功率:740mW€1.25W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1442DH-T1-GE3
输入电容:1010pF@6V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:12V
导通电阻:20mΩ@6A,4.5V
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:33nC@8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: