采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU36N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
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输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
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输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
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输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
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连续漏极电流：24A
类型：N沟道
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漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
栅极电荷：46nC@10V
漏源电压：600V
阈值电压：4.5V@100µA
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU36N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24NM60N
连续漏极电流：17A
导通电阻：190mΩ@8A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@50V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：AOB160A60L
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：160mΩ@12A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
类型：N沟道
阈值电压：3.6V@250µA
输入电容：2340pF@100V
栅极电荷：46nC@10V
连续漏极电流：24A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU36N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
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连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU36N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU36N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU36N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU36N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
