品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC037N08NS5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.8V@72µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
输入电容:4200pF@40V
栅极电荷:58nC@10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:3.8V@95µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€139W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:5600pF@40V
导通电阻:3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6276
功率:215W
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:3.2V@250µA
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
连续漏极电流:100A
输入电容:4940pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC037N08NS5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.8V@72µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
输入电容:4200pF@40V
栅极电荷:58nC@10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N08LS5ATMA1
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
阈值电压:2.3V@115µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:7500pF@40V
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:100A
功率:2.5W€156W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2593}
规格型号(MPN):BSC025N08LS5ATMA1
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
阈值电压:2.3V@115µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:7500pF@40V
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:100A
功率:2.5W€156W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1
导通电阻:4mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.8V@67µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:3900pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N08LS5ATMA1
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
阈值电压:2.3V@115µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:7500pF@40V
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:100A
功率:2.5W€156W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1
导通电阻:4mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.8V@67µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:3900pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5469pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6276
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4940pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5002,"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC037N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.8V@72µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:81nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: