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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR122DP-T1-RE3

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:16.7A€59.6A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:7.4mΩ@10A,10V

    功率:5.2W€65.7W

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:3.8V@250µA

    输入电容:1950pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    输入电容:2289pF@40V

    栅极电荷:72nC@10V

    连续漏极电流:60A

    阈值电压:3V@250µA

    功率:5.4W€83W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@40V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3

    输入电容:4700pF@40V

    功率:5.2W€83.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    漏源电压:80V

    导通电阻:25mΩ

    类型:P-Channel

    栅极电荷:160nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS588DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS588DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:16.9A€58.1A

    输入电容:1380pF@40V

    栅极电荷:28.5nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:4.8W€56.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    功率:1.9W

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:7.6A

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    功率:1.9W

    连续漏极电流:7.6A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:1.56W

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469ADP-T1-RE3 起订300个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469ADP-T1-RE3 起订300个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469ADP-T1-RE3

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:7.4A€46A

    输入电容:3420pF@40V

    漏源电压:80V

    导通电阻:19.3mΩ@10A,10V

    类型:P沟道

    功率:5W€73.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    连续漏极电流:35.8A€146A

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€104W

    输入电容:4100pF@40V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:4.8W€57W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:3.5V@250µA

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS588DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS588DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:16.9A€58.1A

    输入电容:1380pF@40V

    栅极电荷:28.5nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:4.8W€56.8W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    功率:6.25W€104W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3

    输入电容:4700pF@40V

    功率:5.2W€83.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    漏源电压:80V

    类型:P沟道

    栅极电荷:160nC@10V

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680LDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680LDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680LDP-T1-RE3

    输入电容:7250pF@40V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:6.25W€104W

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    栅极电荷:135nC@10V

    连续漏极电流:31.8A€130A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7852DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    功率:1.9W

    连续漏极电流:7.6A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:1.56W

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2387DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2387DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3

    功率:1.3W€2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@40V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.1A€3A

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:164mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:80V

    类型:P沟道

    栅极电荷:10.2nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826ADP-T1-GE3

    栅极电荷:86nC@10V

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    输入电容:2800pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3476DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:2W€3.6W

    栅极电荷:7.5nC@10V

    连续漏极电流:4.6A

    导通电阻:93mΩ@3.5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:195pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    功率:6.25W€104W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:6.25W€125W

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    输入电容:5150pF@40V

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3

    输入电容:4700pF@40V

    功率:5.2W€83.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    漏源电压:80V

    类型:P沟道

    栅极电荷:160nC@10V

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826ADP-T1-GE3

    栅极电荷:86nC@10V

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    输入电容:2800pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3476DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:105mΩ

    漏源电压:3V

    类型:N-Channel

    功率:2W€3.6W

    栅极电荷:7.5nC@10V

    连续漏极电流:4.6A

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:195pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-RE3

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:6.25W€125W

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    输入电容:5150pF@40V

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    输入电容:1666pF@40V

    阈值电压:3.8V@250µA

    功率:5W€62.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3

    输入电容:4700pF@40V

    功率:5.2W€83.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    漏源电压:80V

    类型:P沟道

    栅极电荷:160nC@10V

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880BDP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880BDP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3

    输入电容:2930pF@40V

    导通电阻:6.5mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    功率:5W€71.4W

    栅极电荷:66nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:18.6A€70.6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:3V

    类型:N-Channel

    输入电容:2289pF@40V

    栅极电荷:72nC@10V

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:6.3mΩ

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    功率:5.4W€83W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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