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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 24V
    当前匹配商品:80+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€12.5W

    阈值电压:1.45V@250µA

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@9A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€12.5W

    阈值电压:1.45V@250µA

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@9A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG5802LFX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:980mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1066.4pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€12.5W

    阈值电压:1.45V@250µA

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@9A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2023UCB4-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2023UCB4-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2023UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.45W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3333pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB90N02T4 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB90N02T4 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":179200,"06+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB90N02T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2120pF@20V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB90N02T4 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB90N02T4 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":179200,"06+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB90N02T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2120pF@20V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG5802LFX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:980mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1066.4pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTL4502NT1 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTL4502NT1 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":912}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTL4502NT1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@20V

    连续漏极电流:11.4A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG5802LFX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:980mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1066.4pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€12.5W

    阈值电压:1.45V@250µA

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@9A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02RT4 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02RT4 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":47145,"MI+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD85N02RT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€78.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@20V

    连续漏极电流:12A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG5802LFX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:980mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1066.4pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€12.5W

    阈值电压:1.45V@250µA

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@9A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD80N02T4 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD80N02T4 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":708,"04+":18895,"05+":2500,"06+":2920}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD80N02T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@20V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€12.5W

    阈值电压:1.45V@250µA

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@9A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02RT4 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02RT4 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD85N02RT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€78.1W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@20V

    连续漏极电流:12A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD80N02T4 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD80N02T4 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD80N02T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@20V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD95N02RT4 起订1394个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD95N02RT4 起订1394个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD95N02RT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€86W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:12A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD95N02RT4 起订1394个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD95N02RT4 起订1394个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD95N02RT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€86W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:12A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD80N02T4 起订2290个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD80N02T4 起订2290个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":708,"04+":18895,"05+":2500,"06+":2920}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD80N02T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@20V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€12.5W

    阈值电压:1.45V@250µA

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@9A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2023UCB4-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2023UCB4-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2023UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.45W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3333pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD95N02RT4G 起订1002个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD95N02RT4G 起订1002个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD95N02RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€86W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:12A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG5802LFX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:980mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1066.4pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02RT4G 起订842个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02RT4G 起订842个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":9472}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD85N02RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€78.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@20V

    连续漏极电流:12A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON3818 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON3818 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON3818

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@12V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:13.5mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02RT4 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02RT4 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":47145,"MI+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD85N02RT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€78.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@20V

    连续漏极电流:12A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€12.5W

    阈值电压:1.45V@250µA

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@9A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB90N02T4G 起订629个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB90N02T4G 起订629个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":195,"10+":5600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB90N02T4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2120pF@20V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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