采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：CSD23203W
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功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD23203WT
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功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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规格型号(MPN)：CSD23203W
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功率：750mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD23203WT
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功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
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输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
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输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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规格型号(MPN)：CSD23203W
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功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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规格型号(MPN)：CSD23203W
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功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
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输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD23203W
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功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD23203WT
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类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD23203WT
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功率：750mW
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输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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规格型号(MPN)：CSD23203W
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功率：750mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
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连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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功率：750mW
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栅极电荷：6.3nC@4.5V
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输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
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输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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连续漏极电流：3A
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类型：P沟道
功率：750mW
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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类型：P沟道
功率：750mW
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
功率：750mW
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD23203WT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
功率：750mW
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD23203WT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
阈值电压：1.1V@250µA
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连续漏极电流：3A
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类型：P沟道
功率：750mW
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
功率：750mW
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
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类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
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连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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