品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3430DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7464DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@1.1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N40K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":3000,"11+":1571}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@15V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9310TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@1.1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP373NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@218µA
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB02N60S5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTRV4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP373NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@218µA
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3430DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ130UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP373NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@218µA
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1H
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1H
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2120UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTRV4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@400µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:368pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: