品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:2390pF@10V
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类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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输入电容:4405pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
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类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
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输入电容:1450pF@20V
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类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
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输入电容:1450pF@20V
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类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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输入电容:2390pF@10V
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类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
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输入电容:1450pF@20V
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类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
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类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
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连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: