品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:12A
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
输入电容:4965pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:10.5A
输入电容:1281pF@15V
栅极电荷:26.7nC@10V
导通电阻:11mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:24+
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
输入电容:1779pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
连续漏极电流:10.5A
漏源电压:20V
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
输入电容:4965pF@15V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:46nC@5V
连续漏极电流:10.5A
类型:P沟道
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:10.5A
输入电容:1281pF@15V
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.7nC@10V
导通电阻:11mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:10.5A
输入电容:1281pF@15V
栅极电荷:26.7nC@10V
导通电阻:11mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2013UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2453pF@10V
导通电阻:11mΩ@8.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
连续漏极电流:10.5A
栅极电荷:25.8nC@8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:24+
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
输入电容:1779pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
连续漏极电流:10.5A
漏源电压:20V
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
输入电容:4965pF@15V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:46nC@5V
连续漏极电流:10.5A
类型:P沟道
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1779pF@10V
连续漏极电流:10.5A
类型:N-Channel
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N-Channel
导通电阻:11mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N-Channel
导通电阻:11mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N-Channel
导通电阻:11mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1779pF@10V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4965pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P-Channel
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4965pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P-Channel
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4965pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P-Channel
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4965pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P-Channel
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4965pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P-Channel
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4965pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P-Channel
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2013UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:25.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2453pF@10V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1779pF@10V
连续漏极电流:10.5A
类型:N-Channel
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2013UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:25.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2453pF@10V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: