品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-13
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302U-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-13
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.97W
栅极电荷:17.2nC@10V
类型:P沟道
输入电容:969pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:9.6nC@4.5V
功率:780mW
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:829.9pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926UDM-7
功率:980mW
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
漏源电压:20V
输入电容:856pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-7
连续漏极电流:4.2A
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:808pF@15V
漏源电压:20V
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-13
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.97W
栅极电荷:17.2nC@10V
类型:P沟道
输入电容:969pF@30V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.97W
栅极电荷:17.2nC@10V
类型:P沟道
输入电容:969pF@30V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25KTC
功率:2.11W
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
栅极电荷:17.16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:859pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UXQ-7
连续漏极电流:4.2A
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:808pF@15V
漏源电压:20V
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-13
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.97W
栅极电荷:17.2nC@10V
类型:P沟道
输入电容:969pF@30V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.97W
栅极电荷:17.2nC@10V
类型:P沟道
输入电容:969pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25KTC
功率:2.11W
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
栅极电荷:17.16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:859pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:9.6nC@4.5V
功率:780mW
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:829.9pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3070SSN-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
功率:780mW
栅极电荷:13.2nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:697pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302U-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305U-7
连续漏极电流:4.2A
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
输入电容:727pF@20V
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414U-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:9.6nC@4.5V
功率:780mW
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:829.9pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UXQ-7
连续漏极电流:4.2A
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:808pF@15V
漏源电压:20V
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H099SFG-7
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:980mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
连续漏极电流:4.2A
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:808pF@15V
漏源电压:20V
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3070SSN-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
功率:780mW
栅极电荷:13.2nC@10V
输入电容:697pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H099SFG-7
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:980mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-7
连续漏极电流:4.2A
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:808pF@15V
漏源电压:20V
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926UDM-7
功率:980mW
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
漏源电压:20V
输入电容:856pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN7A11KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.11W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@40V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@4.4A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存: