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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:161nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6670pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86356Q5D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86356Q5D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86356Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12W

    阈值电压:1.85V@250µA€1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12.5V€2510pF@12.5V

    连续漏极电流:40A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订532个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订532个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":37,"22+":5000,"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0905PNSATMA1 起订874个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0905PNSATMA1 起订874个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9858}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0905PNSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:1.9V@105µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3190pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订772个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订772个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":76,"21+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0901NLSATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0901NLSATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@12V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06D52

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1011pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86350Q5DT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86350Q5DT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86350Q5DT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13W

    阈值电压:2.1V@250µA€1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@12.5V€4000pF@12.5V

    连续漏极电流:40A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订772个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订772个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":45984,"24+":27166}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ070N08LS5ATMA1 起订519个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ070N08LS5ATMA1 起订519个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":760}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ070N08LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订628个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订628个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":21549,"23+":18194}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7634BDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7634BDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订5000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订5000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT060N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1282pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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