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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5402T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：460870，"09+"：1480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
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功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
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功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
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连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
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栅极电荷：20nC@10V
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连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.9A，10V
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连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：460870，"09+"：1480}
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规格型号(MPN)：NTHS4501NT1G
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功率：1.3W
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栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：21000}
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功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-GE3
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功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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