品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
输入电容:75pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@1mA
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H21DHE-13
导通电阻:21Ω@300mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:4.2nC@10V
漏源电压:450V
类型:P沟道
功率:12.5W
输入电容:1003pF@25V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H21DHE-13
导通电阻:21Ω@300mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:4.2nC@10V
漏源电压:450V
类型:P沟道
功率:12.5W
输入电容:1003pF@25V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
包装方式:卷带(TR)
功率:550mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:175pF@16V
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:0.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
类型:N沟道
输入电容:52.5pF@16V
栅极电荷:0.88nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
功率:550mW
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
输入电容:75pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@1mA
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:0.7A
导通电阻:1Ω@600mA,10V
类型:P-Channel
阈值电压:4V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:3.5nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:3.5nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H21DHE-13
导通电阻:21Ω@300mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:4.2nC@10V
漏源电压:450V
类型:P沟道
功率:12.5W
输入电容:1003pF@25V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:0.7A
导通电阻:1Ω@600mA,10V
类型:P-Channel
阈值电压:4V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:3.5nC@10V
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
功率:625mW
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
类型:N沟道
输入电容:52.5pF@16V
栅极电荷:0.88nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:3.5nC@10V
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:0.7A
类型:P-Channel
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:0.7A
类型:P-Channel
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: