品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC097N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3.3V@14µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N30D
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V€2360pF@15V
连续漏极电流:46A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC097N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N30D
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V€2360pF@15V
连续漏极电流:46A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC097N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC097N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N30D
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V€2360pF@15V
连续漏极电流:46A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC097N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N30D
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V€2360pF@15V
连续漏极电流:46A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM160N10LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4431pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: