采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP149H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@400µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP149H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP297H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：16.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：357pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP297H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：16.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：357pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP297H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：357pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP149H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@400µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3139PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@780mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP149H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@400µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP297H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：16.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：357pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP297H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：16.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：357pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP297H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：16.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：357pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP149H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3139PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@780mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KE-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@6V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP149H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP297H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：357pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3139PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@780mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：113202}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP149L6906HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP149H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP149H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@400µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：660mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@660mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3139PT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@780mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
