采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：931pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2029USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1171pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15038}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS5838NLR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3404A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.35V@10µA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.8A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：513pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2029USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1171pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：513pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.35V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.8A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：689pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
